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在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《Android11能ROOT了：Magisk作者不负众望》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题中国长江存储拿下三个世界第一三星或首发160层闪存。
[PConline 资讯] 对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，而在上周，中国长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，破下三个世界纪录。国产闪存技术突飞猛进，而三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。
对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，而在今年，全球将大规模量产100+层的3D闪存。
但每家厂商采用的技术各不相同，例如东芝、西数的有112层的，美光、SK海力士有128层的，英特尔的是144层，并且是浮栅极技术，而三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。
在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。
而目前还没有关于160层+的3D闪存的技术信息，而据韩媒报道称三星为制造更高层数的3D闪存，可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈技术升级到双堆栈技术。
考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。
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