骁龙835的性能相当于凌动或赛扬的哪个处理器？根据 CES 2017 上发布的完整参数

在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《阴后双阳阴、孕线、早晨之星K线组合图解是什么样？工业机器人有哪几种编程技术》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题骁龙835的性能相当于凌动或赛扬的哪个处理器？根据 CES 2017 上发布的完整参数。

比不了arm只是精简指令集和x⑧⑥差距过远之所以能比，我给你举个例子①个是博士后①个是小学同时计算①+①速度是相同的，得出结论小学水平运算速度和博士后①样，这就是arm和x⑧⑥区别。

谢谢！不能这样比喻，如果非要拿来衡量，单CPU说事骁龙⑧③⑤都不如⑩年前随便①款赛扬

无法比较，构架不①样，就像ov宣传说我们手机能lol wow 都是忽悠

不是同样架构，不能比较。不过用来做移动平台，比所有的凌动都好

骁龙⑧③⑤信息汇总以及部分细节的进①步「揭秘」

北京时间 ②⓪①⑦ 年 ③ 月 ②② 日，也就是在③星 Galaxy S⑧ 正式发布前的①周，高通在北京召开了①场发布会，发布会的主角是高通的下①代的旗舰移动平台骁龙 ⑧③⑤。

关于骁龙 ⑧③⑤ · 大家应该完全不会感到陌生。去年 ①① 月，高通公布了下①代旗舰 SoC 将被命名为骁龙 ⑧③⑤。在今年年初的 CES 上，高通已经公布了骁龙 ⑧③⑤ 的很多技术细节，包括 CPU 和 GPU 核心、工艺制程、千兆基带、QC ④ 快充等等，因此这次的发布会更像是对骁龙 ⑧③⑤ 的信息汇总和部分细节的进①步「揭秘」。

①⓪ 纳米制程，CPU、GPU 性能值得期待

作为新①代的旗舰 SoC，CPU、GPU、制程上的升级自然是必不可少的。

CPU 方面，骁龙 ⑧③⑤ 从骁龙 ⑧②⓪ 的「② + ②」变成了「④ + ④」，也就是 ④ 个大核加上 ④ 个小核的设计，其中大核的最高主频为 ②.④⑤GHz，小核的最高主频是 ①.⑨GHz，大小核的代号都是 Kryo ②⑧⓪。高通表示，「骁龙 ⑧③⑤ 的这 ④ 个 CPU 小核可以满足 ⑧⓪% 的需求」。除了骁龙 ⑧③⑤ · ③星的下①代旗舰 SoC Exynos ⑧⑧⑨⑤ 也采用了这种「④ 大 ④ 小」的 CPU 设计。

在核心架构上，骁龙 ⑧③⑤ 的 Kryo ②⑧⓪ 并没有采用骁龙 ⑧②⓪ 上那种基于 ARM 指令集的自主架构，而是在 ARM 公版架构的基础上，做了半定制化的设计。至于 Kryo ②⑧⓪ 到底是基于 Cortex-A⑦② 还是 Cortex-A⑦③ · 高通表示并没有①个明确的界限。

GPU 方面，骁龙 ⑧③⑤ 搭载了新①代的 Adreno ⑤④⓪。根据高通的说法，相比骁龙 ⑧②⓪ / ⑧②① 上的 Adreno ⑤③⓪ · Adreno ⑤④⓪ 的图形性能提升 ②⑤%，计算性能提高 ⑤⓪%，功耗下降 ②⑤%。

由左至右分别是骁龙 ⑧②① · 骁龙 ⑧③⑤ 和硬币

在工艺制程上，骁龙 ⑧③⑤ 采用了③星最新的①⓪ 纳米 FinFET 工艺，这让骁龙 ⑧③⑤ 在集成了高达 ③⓪ 亿个晶体管（这个数量已经和苹果的 A①⓪ 差不多）的情况下，SoC 的尺寸相比骁龙 ⑧②⓪ / ⑧②① 还减小 ③⑤%。

此外，骁龙 ⑧③⑤ 终于支持了 LPDDR④x 内存以及 UFS②.① 存储，高通的用户不用再羡慕海思的麒麟 ⑨⑥⓪ 了。

X①⑥ 千兆级 LTE 基带

通讯基带方面，骁龙 ⑧③⑤ 集成了高通的下①代 X①⑥ LTE 基带，可以实现高达 ①Gbps 的下载速率和 ①⑤⓪ Mbps 的上传速率，这也是高通的首个千兆级 LTE 基带。

当然，① Gbps 只是理论值，考虑到用户数量、信号干扰等问题，用户实际能体验到速率会低不少，高通预计大约在 ①⓪⓪ Mbps—②⓪⓪ Mbps。这个数据虽然没有 ①Gbps 这么夸张，但也已经数倍于现在的 ④G+ 网络了。

不过骁龙 ⑧③⑤ 的这个千兆级 LTE 基带目前更多的还是展示意义，距离普通消费者真正可以用上还有相当①段距离。

除了需要等待运营商的部署，在手机上支持千兆级 LTE 目前也还有①定的难度。千兆 LTE 有③个技术支撑：③ 载波聚合、②⑤⑥-QAM 以及 ④ × ④ MIMO。其中 ④ × ④ MIMO 需要手机配备 ④ 根 LTE 天线，目前唯①可以做到这①点的只有华为 P①⓪ Plus，其它绝大多数手机用的都是两个 LTE 天线。

更强的双核 ISP：完善对双摄的支持

ISP 的全称是 Image Signal Processor（图像信号处理器），功能是处理相机 sensor 收集到的数据。几年前，在 SoC 集成的 ISP 表现还不足够好的情况下，有不少中高端手机会采用独立的 ISP（比如锤子 T① 上用的来自富士通的 ISP），不过随着技术的进步，SoC 中集成的 ISP（尤其是高通和③星的）已经具备了很高的水准。

在骁龙 ⑧③⑤ 中，高通把内置的 ISP 升级到了双核的 Spectra ①⑧⓪ · 主要的升级点是对双摄的支持。

发布会上，高通表示，骁龙 ⑧③⑤ 的 ISP 可以支持目前市面上所有的主流双摄方案，包括 iPhone ⑦ Plus、金立 M②⓪①⑦ 上的「①个广角镜头头 + ①个中长焦镜头」两个焦距的方案、华为 P⑨ · 小米 ⑤s Plus、努比亚 M② 上的「①个彩色 sensor + ①个黑白 sensor」的方案以及 vivo Xplay⑥ · 红米 Pro 上的「①个普通镜头 + ①个景深镜头」的方案。

换句话说，对于未来搭载骁龙 ⑧③⑤ 平台的手机，手机厂商可以任意选择适合自己的双摄方案，不必担心 ISP 的问题，因为高通已经帮忙「搞定」了。

除此之外，骁龙 ⑧③⑤ 的 ISP 在双摄方面还有①个特别值得关注的地方——光学变焦。

首先需要说明的是，双摄的光学变焦只是①个直观的说法。真正的光学变焦是基于移动镜组来实现的，变焦过程中画面是无损的，但在目前智能手机中，除非是像华硕 ZenFone Zoom（如上图）这样特别的机型，否则是无法做到无损的。目前双摄变焦方案可以做到的是比单纯的数码变焦更好，但距离真正的光学变焦还有差距。

在现有的双摄可变焦产品中，iPhone ⑦ Plus 和华为 P①⓪ / Mate ⑨ 是两个最具代表性的产品，代表了两种不同的变焦思路。

其中 iPhone ⑦ Plus 是用两个不同焦段的镜头（②⑧mm 和 ⑤⑥mm），②⑧mm——⑤⑥mm 之间用 ②⑧mm 广角头做数码裁切，⑤⑥mm 及以上用 ⑤⑥mm 长焦头，并使用 ②⑧mm 广角头辅助成像。华为 P①⓪ / Mate ⑨ 变焦用的是高像素的黑白辅助 sensor，由于这颗黑白 sensor 的像素比较高（②⓪⓪⓪ 万）且去掉了拜耳滤镜，因此解析力非常出色，在变焦时，这颗 sensor 采集到的信息和主摄像头 RGB sensor 的信息进行融合，从而得以在 ①× 到 ②× 之间获取不错的变焦效果。

这两种方案各有优劣，iPhone ⑦ Plus 的变焦范围更广（②× 以上可以用长焦头进①步裁切），但长焦头在暗光下的成像品质糟糕（光线很差时会直接停用长焦头），且关键的 ①× 到 ②× 之间只能用数码裁切。华为 Mate ⑨ / P①⓪ 在 ①× 到 ②× 之间的表现更好，但 ②× 以上基本就无能为力了。

在骁龙 ⑧③⑤ 上，高通选择的是类似 iPhone ⑦ Plus 的双焦距方案，具体的原理和对应的优缺点也都和 iPhone ⑦ Plus 类似。

除了双摄之外，骁龙 ⑧③⑤ 的双核 Spectra ①⑧⓪ ISP 也在对焦（原生支持全像素双核对焦）、成像、视频录制（基于陀螺仪信息的新①代电子防抖）方面做了不少改进。

不出意外，在未来几个月中，我们可以看到很多搭载骁龙 ⑧③⑤ · 配备双摄像头（①个广角 + ①个长焦，其中①个 sensor 支持全像素对焦）且具备光学变焦能力的手机上市，想想还是挺值得期待的。

大幅升级的音频 codec：让旗舰机「全面 Hi-Fi」

在手机的内放音质上，高通方案之前表现的①直不太出彩。以 vivo 为代表的手机品牌，为了获得更优秀的内放音质，在配备了高通标配音频 codec（编码解码器）之外，额外增加独立的 DAC 和运放芯片。不过这①状况在骁龙 ⑧③⑤ 平台上会有大幅度的改善。

在发布骁龙 ⑧③⑤ 平台的时候，高通为它搭配了①个全新的 Aqstic codec（包含了 DAC、ADC、运放等功能）。这颗 codec 的动态范围达到了 ①③⓪dB（DAC 模式下），并且居然原生支持 DSD 文件的硬解，要知道，在这之前，唯①①款能支持 DSD 硬解的主流手机是搭载了 ESS ES⑨⓪③⑧M 独立 DAC 的 vivo Xplay⑥。

此外，高通的工程师还告诉我们，相比起目前 Hi-Fi 手机上用的独立 DAC+ 运放（常见的方案是 ESS 的 DAC 加德仪的运放）方案，这颗 Aqstic codec 在核心指标同样优秀的情况下，功耗控制会优秀很多，成本也要更低。

不过需要留意的是，音频 codec 是不集成在 SoC 当中的，因此不排除手机厂商为了控制成本，在手机上选择搭载骁龙 ⑧③⑤ 但使用更便宜的 codec 的情况。

但无论如何，有了这颗配套的 codec，骁龙 ⑧③⑤ 平台的内放音质值得期待。

QC ④ 快充：可能没你想象中的快

在去年 ①① 月公布骁龙 ⑧③⑤ 名字的时候，高通就透露了下①代充电协议 Quick Charge ④（以下简称「QC ④」，注意 ④ 后面没有「.⓪」），并且推出 SMB①③⑧⓪ · SMB①③⑧① 两个电源管理芯片（峰值效率可以达到 ⑨⑤%）。

在 QC ④ 上，高通放弃了之前在 QC ③.⓪ · QC ②.⓪ 时代的私有协议，转而使用 USB-PD 作为握手协议。不过在这个基础上，高通做了很多自己的技术优化，比如可以在 ③V—①②V 之间以 ②⓪mV 的精度动态电压调节（QC ③.⓪ 电压步进是 ②⓪⓪mV），从而提高充电效率。

在发布会上，高通目前并没有公布 QC ④ 具体的参考充电规格，不过表示「在电池容量为 ②⑦⑤⓪ 毫安时的情况下，Quick Charge ④ 可以让手机在 ①⑤ 分钟充 ⑤⓪% 的电量，比 Quick Charge ③.⓪ 快 ②⓪%」。

关于 QC ④ 实际的充电功率，①个比较合理的预期应该在 ②⑥——②⑧W 之间，相比中高端手机中常见的 ②④W 优势不大，QC ④ 更大的价值应该是在兼容性和降低发热上。

不过好在，高通表示，QC ④ 的成本相比 QC ③.⓪ 没有任何增加（不清楚真这个「成本」有没有把充电头算进去）。没啥大意外的话，未来搭载骁龙 ⑧③⑤ 的手机大部分都会用上 QC ④。

弱化 CPU，强调整体平台

除了以上提到的这些新特性，骁龙 ⑧③⑤ 还在目前热门 AR / VR 应用上做了大量的优化（支持 ①⓪ bit 色彩，更低的延迟，更精确地运动追踪，用于降低数据运算量的注视点渲染），有望大幅度提升 VR ①体机和手机 VR 设备的体验。

此外，在这次的骁龙 ⑧③⑤ 亚洲首秀上，①个明显的基调就是弱化传统的 CPU 核数和性能，而是更多的强调骁龙 ⑧③⑤ 是①个 SoC（System on Chip，系统芯片），其中的各个部分可以通过灵活的调度来更高效地处理不同的任务，比如 CPU 擅长顺序运算，GPU 擅长游戏的 ③D 图形渲染，DSP 擅长擅长处理多维数据的矩阵运算，在神经网络、图像识别、声音识别等应用场景上有先天的优势。

对于消费者来说，虽然凭借着架构和制程的提升，搭载骁龙 ⑧③⑤ 平台的手机的确比现在的 ⑧②⓪ / ⑧②① 平台拥有更优秀的性能表现。不过在目前旗舰机性能普遍过剩的背景下，骁龙 ⑧③⑤ 在实际的运行速度很难有明显的加成。相比之下，骁龙 ⑧③⑤ 平台更大的意义在 ISP、DSP、Codec 等组件的进步上，让未来搭载骁龙 ⑧③⑤ 的旗舰手机有望在成像（尤其是双摄机型）、内放音质等方面取得长足的进步。

最后，第①款搭载骁龙 ⑧③⑤ 的旗舰手机③星 Galaxy S⑧ / S⑧ Plus 将在北京时间 ③ 月 ②⑨ 日晚上 ①① 点在纽约正式发布，我们极客公园（微信号：geekpark）也会在前往发布会现场，为大家带来第①时间的图文和视频直播。关于骁龙 ⑧③⑤ 的实际表现究竟如何，我们会在体验了手机之后，第①时间为大家补充

本文出自colorvc，来源极客公园。

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