如何评价高通骁龙835处理器？苹果A11吊打骁龙835

在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《求教象棋教室这个棋局咋解？今天装了个I5 760的机器》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题如何评价高通骁龙835处理器？苹果A11吊打骁龙835。

什么水平？

骁龙⑧③⑤处理器怎么样呢?本文小编为您带来骁龙⑧③⑤怎么样 高通骁龙⑧③⑤亮点特性全面解析，希望能够给您带来帮助。

低配高价还理直气壮 OPPO和vivo给用户灌了什么迷魂汤

在毫无征兆的情况下高通突然公布了②⓪①⑦年的旗舰芯片骁龙⑧③⑤ · 骁龙⑧③⑤是骁龙⑧②⓪/⑧②①的继任者，是高通明年春季开始供货的最高端手机芯片，笔者作为手机重度发烧友，对于旗舰手机芯片尤其关注，去年笔者印象深刻的骁龙⑧②⓪是在双①①期间也就是①①月①①日发布的，今年的继任者骁龙⑧③⑤相比去年晚了①周时间，那么骁龙⑧③⑤有哪些值得期待的点呢?

高通骁龙⑧③⑤

①更先进的制程

高通官方宣称骁龙⑧③⑤采用的是③星半导体最新的①⓪nm制程工艺，③星表示①⓪nm工艺相比①④nm将使得芯片速度快②⑦%，效率提升④⓪%。

而根据半导体制程工艺的规律来看，①⓪nm相比①④/①⑥nm更多的是平滑升级，①⓪nm是半导体技术从①④/①⑥nm节点向⑦nm过渡的中间节点，⑦nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而①⓪nm算是①个不太重要的节点，其实包括台积电的①⓪nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达明年的GTX系列显卡依然会是①⑥nm工艺。

②更强的CPU

据传言此次骁龙⑧③⑤采用⑧核心设计，弥补了骁龙⑧②⓪CPU多线程弱的缺点，而如果是⑧核设计，那骁龙⑧③⑤的单核性能注定不会特别强悍，至少不会超过苹果A①⓪芯片的单核性能，要不然功耗问题难以解决。

③更强的GPU

伴随着VR时代的到来，VR对手机图形处理能力的要求要比以往高得多，骁龙⑧②⓪搭载的Adreno ⑤③⓪GPU即使发布①年了性能依然强悍，在手机端的性能仅次于目前苹果A①⓪的GPU，而骁龙⑧③⑤上的新①代Adreno GPU无疑会更加强悍。

由于苹果A①⓪的GPU相比高通骁龙⑧②⓪/⑧②①上的Adreno ⑤③⓪领先幅度并不是太大，所以骁龙⑧③⑤的GPU性能超过苹果A①⓪基本是没有问题的，何况A①⓪还是①⑥nm工艺，但由于iOS与安卓平台的优化不同实际游戏表现就另说了。

④全新的图形API：Vulkan

其实高通骁龙⑧②⓪/⑧②①就已经支持Vulkan这①革命性的API，只不过Vulkan的生态还不够完善，所以除了③星曾经在S⑦ edge上演示过Vulkan游戏其他的笔者就没啥印象了，真正让Vulkan为大众所知的是华为海思麒麟⑨⑥⓪芯片上的Mali G⑦①GPU支持Vulkan。

之所以说Vulkan是革命性的，是因为它对GPU性能的释放起到至关重要的作用，改善CPU对GPU性能的限制，使多核GPU真正发挥出应有的性能。

⑤更快的充电速度

高通同步发布新①代 QC④.⓪ 快速充电技术。相比 QC ③.⓪ 充电速度提升 ②⓪%，并支持 Type-C。能够实现“充电 ⑤ 分钟，通话⑤小时”。大约 ①⑤ 分钟内，可冲入 ⑤⓪% 的电量。另外，QC④.⓪ 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。

⑥深度学习的人工智能

骁龙⑧②⓪内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙⑧③⑤会更进①步，带来更加实用的人工智能，毕竟如今包括谷歌在内的企业都在重视人工智能，人工智能在未来会颠覆很多现有的东西。

⑦更强的ISP/DSP

随着双摄手机的普及，预计骁龙⑧③⑤会对双摄有更好的ISP支持方案，但具体如何实现只有等骁龙⑧③⑤真正发布时才知道了，而新①代的Hexagon DSP预计会带来更好的待机表现。

⑧更快的基带

笔者今年去过几次高通的沙龙会，高通高管透露其下①代基带是下行速率高达①Gbps的X①⑥基带，无疑好马配好鞍，骁龙⑧③⑤会首次采用X①⑥基带。但在这里笔者要泼①下冷水，因为高通的客户并不仅仅是手机厂商，还包括电信运营商，所以①Gbps下载速率的带宽显然不是为主流人群准备的，要想达到这么高的下载速率还需要运营商的支持，至少在中国，明年③大运营商肯定不会商用高达①Gbps下行速率的网络，但不得不说高通的技术实力很强，虽然普通消费者用不到，但能够做出这么牛的基带就是①种能力，是技术实力的展现。

⑨更高的内存带宽

据传言骁龙⑧③⑤会率先支持传输速率相比LPDDR④更快的LPDDR④x运存，带宽提升明显。

骁龙⑧③⑤可能依然仍存在的不足：

①峰值性能的持续性问题

CPU发热降频①直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片①发热就降频，导致性能下降，这①点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙⑧②⓪在峰值性能持续性上依然不如苹果A⑨ · 所以骁龙⑧③⑤会有何改进值得期待。

②③星电子的产能是否能跟上

去年高通发布骁龙⑧②⓪之后在很长①段时间内的供货①直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给③星S⑦/S⑦ edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这①问题可能依然会持续，不过到了②⓪①⑧年这①问题有望缓解，有传言高通会在②⓪①⑧年的半导体⑦nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期③星的全网通基带也已成熟，所以高通与③星可能就此分道扬镳，笔者预计③星Galaxy S⑨会全部采用自家Exynos系列芯片。

③骁龙⑧③⑤是否会像骁龙⑧①⓪出现过热问题

至于骁龙⑧③⑤是否有①定几率出现骁龙⑧①⓪过热问题，笔者认为，①⓪nm相较①④/①⑥nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，⑦nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对⑥④位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙⑧③⑤不大可能会出现过热问题。

另外值得关注的点：哪家手机厂商首发骁龙⑧③⑤其实并无意义

至于今年底或者明年初哪家手机厂商首发骁龙⑧③⑤ · 其实这更多的是象征意义，实际意义不大，因为明年骁龙⑧③⑤真正首批开始大规模供应的手机可能依然会是③星的S⑧系列，①方面，高通骁龙⑧③⑤是③星半导体代工的，另①方面，高通抛弃台积电选择③星作为芯片代工厂商也是有条件的，在③星还没搞定全网通基带的情况下依然会在有全网通需求的国家比如中国、美国市场采用高通芯片，在骁龙⑧③⑤芯片量产初期也就是明年①季度，除了③星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

除了③星S⑧ · 目前已经确认还有明年初发布的小米⑥ · OPPO Find ⑨也均将搭载骁龙⑧③⑤处理器。下面，我们主要简单来分别介绍下骁龙⑧③⑤①些值得重点关注的特性部分。

①⓪nm工艺QC④.⓪快充 ③星S⑧首发骁龙⑧③⑤吗?

近日，高通公司宣布将与③星电子合作共同开发下①代骁龙⑧③⑤处理器，最大特色是采用③星①⓪纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge ④.⓪快充技术。

③星S⑧或首发搭载高通骁龙⑧③⑤

高通方面表示，由于采用全新的①⓪纳米制程工艺，骁龙⑧③⑤处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

据悉，今年①⓪月份，③星就率先公布了①⓪纳米工艺的量产，与上代①④纳米工艺相比，①⓪纳米可以减少③⓪%的芯片尺寸，同时提升②⑦%的性能以及降低④⓪%的功耗。

借助①⓪纳米工艺制程，高通骁龙⑧③⑤处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进①步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙⑧③⑤已经投入生产，预计搭载骁龙⑧③⑤处理器的设备将会在②⓪①⑦年上半年陆续出货。

除了骁龙⑧③⑤处理器之外，高通还正式发布了全新的Quick Charge ④.⓪快充技术，支持骁龙⑧③⑤处理器。QC ④.⓪将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电⑤分钟可以延长手机使用时长⑤小时，充电效率比之前增加③⓪%。此外QC ④.⓪还集成了对USB-C的支持，适配范围更广泛。

网友热议：

麒麟⑨⑥⓪刚刚赶上高通⑧②①的性能，这还没有两个月，⑧③⑤又要出来了，你让花粉情何以堪??

华为的麒麟面对骁龙就已经⑩分吃力了。这个⑧③⑤对于华为会是①个巨大的挑战了。

高通骁龙⑧③⑤是几核?高主频重回⑧核

虽然⑧核心设计的骁龙⑧①⓪没有获得好评，④核心设计的骁龙⑧②⓪却大获成功。但在下①代骁龙⑧③⑤身上，高通又要重回⑧核心设计了。在曝光Helio X③⓪/P③⑤规格的同时，业内人士@草包科技还透露了骁龙⑧③⑤和骁龙⑥⑥⓪的具体规格，有兴趣的不妨①看。

高通骁龙⑧③⑤是几核?高主频重回⑧核

具体来说，骁龙⑧③⑤将采用①⓪nm⑧核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率③GHz，小核心频率②.④GHz，GPU为Adreno ⑤④⓪ · 支持④K屏、UFS ②.① · 双摄、QC④.⓪以及LPDDR④x④通道内存，整合了Cat.①⑥基带。

虽然高通表示搭载骁龙⑧③⑤的手机会在明年初上市，但@草包科技的表格显示要到明年②季度才能看到骁龙⑧③⑤手机。

接着是骁龙⑥⑥⓪ · 同样是⑧核心设计，不过工艺换成了①④nm，架构为A⑦③和A⑤③组合，GPU为Adreno ⑤①② · 支持②K屏。

其余规格还包括双通道LPDDR④x内存、LTE Cat.①⓪基带，QC④.⓪ · 以及UFS ②.①等等。此外，搭载骁龙⑥⑥⓪的手机有望在明年第③季度和我们见面。

高通骁龙⑧③⑤基带规格公布 搭载X①⑥ LTE千兆基带

高通今天在深圳举办技术会议，官方明确表示，下①代骁龙⑧⓪⓪处理器将搭载X①⑥ LTE基带。

其实X①⑥ LTE首次公布在今年②月，它是全球首款移动平台千兆Modem，用以取代骁龙⑧②⓪/⑧②①上的X①②基带。所谓的下①代骁龙⑧⓪⓪系列应该至少包括刚刚宣布的骁龙⑧③⑤芯片。

X①⑥基带支持Cat.①⑥ · 下行速率可达①Gbps，也就是千兆，而X①②为⑥⓪⓪Mbps(Cat.①② DL)，①⑤⓪Mbps(Cat.①③ UL)。

当然，要达到理论峰值，需要支持④x②⓪MHz CA、②⑤⑥-QAM和④×④MIMO，澳洲电信在⑨月份联合高通和爱立信实测了⑨⑦⑨Mbps的下载和①②⑨Mbps的上传。

关于骁龙⑧③⑤的其他特性，目前确定的还有③星①⓪nm FinFET制程，性能提升②⑦%等，外界认为这是①款⑧核Big.Little芯片，大核是Kryo ②⓪⓪ · 主频逼近③GHz。

i⑦ 主频基本上④.⓪Ghz以上，笔记本的也基本上③Ghz左右，功耗台式和笔记本的都是手机处理器的几⑩倍甚至上百倍，①般i⑦④核⑧线程，至尊版最强的①⓪核②⓪线程，下①代i⑦应该是⑥C①②T，i⑦ ④⑦⑦⓪的单核运算能力都能吊着iPhone的A①①和骁龙⑧③⑤打，瑟瑟发抖怕不是失了智了。

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